mos管公式詳解
mos管公式-MOS管驅(qū)動電流的估算
mos管公式驅(qū)動電流的估算第一種:
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時間，從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。
Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
mos管公式驅(qū)動電流的估算第二種:
密勒效應(yīng)時間（開關(guān)時間）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS柵極驅(qū)動電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動電壓；
mos管公式驅(qū)動電流的估算第三種:
以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應(yīng)）假定你希望在0.2us內(nèi)使管子開通，估計總時間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：
67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅(qū)動芯片不能輸出這個峰值，管子的開通就會變慢。
mos管公式飽和區(qū)電流公式及其詳解
mos管公式飽和區(qū)電流公式，在強反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作。小信號參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態(tài)，而且工作在飽和區(qū)，求這種狀況下的小信號參數(shù)。
可將跨導(dǎo)gm表示如下：
在能夠疏忽溝道長度調(diào)制效應(yīng)的狀況下，得到
這個跨導(dǎo)gm能夠用漏極電流ID表示為
也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為
體跨導(dǎo)gmb能夠由下式求得：
由式(1．18)和式(1.20)，能夠分別導(dǎo)出
所以得到
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