當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在一起時(shí)，在它們的交界面處，由于兩種半導(dǎo)體多數(shù)載流子的濃度差很大，因此P區(qū)的空穴會向N區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)，N區(qū)的自由電子也會向P區(qū)擴(kuò)散，如圖1所示。圖中 虛線箭頭表示P區(qū)中空穴的移動方向，實(shí)線箭頭表示N區(qū)中自由電子的移動方向。 

圖1 P區(qū)與N區(qū)中多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動 

擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子遇到空穴會復(fù)合，擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子也會復(fù)合，所以在交界面處多子的濃度會下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，稱為空間電荷區(qū)。出現(xiàn)空間電荷區(qū)以后， 由于正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)會形成一個(gè)電場，電場方向由帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)。由于這個(gè)電場是由載流子擴(kuò)散運(yùn)動（即內(nèi)部運(yùn)動）形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為內(nèi)電場。隨著擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)行，空間電荷區(qū)會加寬，內(nèi)電場增強(qiáng)，其方向正好阻止了P區(qū)中的多子空穴和N區(qū)中的多子自由電子的擴(kuò)散。

　　在內(nèi)電場電場力的作用下，P區(qū)的少子自由電子會向N區(qū)漂移，N區(qū)的少子空穴也會向P區(qū)漂移。漂移運(yùn)動的方向正好與擴(kuò)散運(yùn)動的方向相反。從N區(qū)漂移到P區(qū)的空穴補(bǔ)充了原來交界面上P區(qū)失去的空穴， 而從P區(qū)漂移到N區(qū)的自由電子補(bǔ)充了原來交界面上N區(qū)所失去的自由電子，這就使得空間電荷變少。由此可見，漂移運(yùn)動的作用是使空間 電荷區(qū)變窄，與擴(kuò)散運(yùn)動的作用正好相反。在無外加電場和其他激發(fā)作用下，參與擴(kuò)散運(yùn)動的多子數(shù)目與參與漂移運(yùn)動的少子數(shù)目相等時(shí)，達(dá)到動態(tài)平衡，這是交界面兩側(cè)形成的一定厚度的空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)。這個(gè)空間電荷區(qū)阻礙多子的擴(kuò)散，因此也稱阻擋層；又由于其中幾乎沒有載流子，因此又稱耗盡層。PN結(jié)如圖2所示。 

圖2 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
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