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igbt工作原理與實(shí)物接線圖-igbt接線時(shí)應(yīng)注意地方
2019-08-29
igbt工作原理及接線圖igbt簡(jiǎn)介igbt工作原理及接線圖，我們先了解一下igbt是什么？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極
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小功率場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)特性和分類-小功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)型號(hào)選
2019-08-29
小功率場(chǎng)效應(yīng)管小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect T
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場(chǎng)效應(yīng)管irf3205供應(yīng)商-技術(shù)參數(shù)-場(chǎng)效應(yīng)管irf3205中文PDF資料
2019-08-28
場(chǎng)效應(yīng)管irf3205IR的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。場(chǎng)效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速
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to263貼片mos管引腳圖與尺寸-to263貼片mos管參數(shù)型號(hào)
2019-08-28
to263貼片mos管引腳圖MOS管封裝說明MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)
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mos恒流電路-mos恒流電路在電源中的應(yīng)用和LED恒流驅(qū)動(dòng)電路圖
2019-08-28
mos恒流電路mos恒流電路，由信號(hào)源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直接數(shù)字頻率合成（DDS）技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從E
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MOSFET結(jié)構(gòu)和主要參數(shù)解析-全面的MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)分析
2019-08-28
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管 MOS
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mosfet驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和?自舉升壓結(jié)構(gòu)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路?
2019-08-28
mosfet驅(qū)動(dòng)mosfet驅(qū)動(dòng),跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我
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大電流MOS管型號(hào)參數(shù)和應(yīng)用分析-MOS管發(fā)熱解析
2019-08-27
MOS管MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source
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插件MOS管型號(hào)大全和封裝尺寸圖-原廠供應(yīng)插件MOS管
2019-08-27
mos管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source
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場(chǎng)效應(yīng)mos管結(jié)構(gòu)和原理圖-mos管發(fā)熱原因及驅(qū)動(dòng)分析
2019-08-27
場(chǎng)效應(yīng)mos管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半
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mos管散熱器的重要性與作用-mos管散熱器和導(dǎo)熱硅膠片
2019-08-27
mos管散熱器mos管散熱器，大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過高就可能導(dǎo)致MOS管的燒毀，進(jìn)而可
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常用5a mos管場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)選型表型號(hào)大全
2019-08-27
5a mos管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的sou